（转载）上海微电子（SMEE）已交付的28nm光刻机

none · 帖子由 **none楼主** » 2025年 9月 15日 02:08

根据搜索结果，目前上海微电子（SMEE）已交付的28nm光刻机采用的是40W～60W的ArF准分子激光光源系统，其光源由科益虹源提供，重频为6KHz，输出稳定性达99.99%，寿命超过3万小时。

相比之下，ASML用于28nm制程的DUV光刻机（如NXT系列）所采用的ArF光源功率通常在80W～120W之间，频率可达8～9KHz，具备更高的光刻效率与产率。

简要对比：

综上，上海微电子的28nm光刻机光源功率目前仍低于ASML同代设备，约为后者的一半左右。

上海微28纳米光刻机关键部件进口情况

截至2025年9月，上海微电子（SMEE）28纳米浸没式光刻机的关键部件国产化率已超过85%，但仍有少数核心零部件依赖进口，主要包括以下几类：

已实现国产替代的关键部件（国产化率 > 85%）：

双工件台系统：由华卓精科研发，打破ASML垄断，定位精度达1.7nm。

ArF光源系统：由科益虹源提供，功率达60W，接近ASML 80W水平。

光学投影物镜：由长春国科精密、北京国望光学供应，NA值达0.93，支持28nm及以下节点。

光栅与掩膜系统：苏大维格、清溢光电等已实现28nm级掩膜版与定位光栅国产化。

控制系统与算法：上海微电子自研物镜补偿算法、硅片对准系统，套刻精度≤8nm。

仍部分依赖进口的关键部件（国产化尚未完全覆盖）：

部件类别进口依赖情况说明

高纯度光学晶体（如CaF₂、KBBF），部分仍依赖日本、德国进口，用于深紫外光路系统，国产尚处小批量验证阶段。

高精度传感器（如激光干涉仪、真空传感器），部分核心芯片与精密元件仍进口，国产替代率约60%-70%。

超高真空系统部件（如真空阀门、密封件），高端型号仍依赖欧洲、日本供应商，国产产品在寿命与稳定性上仍有差距。

高NA物镜核心镜片镀膜，虽由国科精密等提供，但极高端镜片的超精密镀膜工艺仍部分依赖进口设备与材料。

综合评估：

整体国产化率：约85%-90%，在DUV光刻机中属较高水平。

尚未100%国产的部件：主要集中在超高精度光学材料、真空系统、传感器核心元件等，占比约10%-15%。

风险点：这些进口部件虽非“卡脖子”级核心，但在极端制裁情境下仍可能成为供应链短板。

结论：

上海微电子28纳米光刻机已具备高度国产化能力，超过85%的关键部件实现自主可控，但仍有约10%-15%的高端零部件（如高纯光学晶体、真空系统、精密传感器）部分依赖进口。未来2-3年内，随着国产材料与工艺持续突破，有望进一步提升至95%以上国产化率。

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